程序容量：7.2K字。
RS-232端口：有。
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器(DM)：6K字。
處理時(shí)間(基本指令)： 0.3μs 。
I/O點(diǎn)數(shù)：880點(diǎn)。
I/O擴(kuò)展單元的臺(tái)數(shù)：2臺(tái)歐姆龍C200HX-CPU65-ZE。
總線I/O的可裝載臺(tái)數(shù)：10臺(tái)(1單元占用單元)。
總線I/O的可裝載臺(tái)數(shù)：5臺(tái)(2單元占用單元)C200HX-CPU65-ZE
多點(diǎn)I/O(組2)可裝載臺(tái)數(shù)：10臺(tái)(1單元占用單元)。
多點(diǎn)I/O(組2)可裝載臺(tái)數(shù)：5臺(tái)(2單元占用單元)。
推進(jìn)網(wǎng)絡(luò)多路化控制的實(shí)現(xiàn)。
通信協(xié)議宏功能。
用簡易的通信連接簡化系統(tǒng)開發(fā)。
走向情報(bào)化、標(biāo)準(zhǔn)化及開放式，始終注視著下一世紀(jì)的生產(chǎn)現(xiàn)場歐姆龍C200HX-CPU65-ZE。
提高開發(fā)效率。
加速應(yīng)用現(xiàn)場情報(bào)化。供給后備電源時(shí)需要，用于1個(gè)單元。內(nèi)置電源（DC24V）。
輸出電流：3A。
提高可靠性，強(qiáng)化功能走向新一代。
由于生產(chǎn)現(xiàn)場愈加復(fù)雜化、高速化，用戶的需求亦日趨多樣化。
為此，須提高C200HG/C200HE/C200HX的基本性能，提高處理速度等歐姆龍C200HX-CPU65-ZE。
生產(chǎn)現(xiàn)場要求產(chǎn)品上的、高標(biāo)準(zhǔn)，不斷升級換代！
創(chuàng)對當(dāng)代制造業(yè)的嚴(yán)格要求激勵(lì)著歐姆龍，
始終以新的產(chǎn)品及科學(xué)觀念投身生產(chǎn)現(xiàn)場。輸入點(diǎn)數(shù)：8點(diǎn)。
輸入電壓：AC/DC12～24V。
輸入電流：10mA。
外部接線：拆卸端子塊。
SYSBUS遠(yuǎn)程I/O從站機(jī)架：可以歐姆龍CPU可編程控制器。
占用單元數(shù)：1CH。
國際標(biāo)準(zhǔn)：U、C、N、L、CE。
提高開發(fā)效率。
加速應(yīng)用現(xiàn)場情報(bào)化。
推進(jìn)網(wǎng)絡(luò)多路化控制的實(shí)現(xiàn)。
從以上三個(gè)角度，造就對應(yīng)于情報(bào)化的多種功能
通信協(xié)議宏功能。
用簡易的通信連接簡化系統(tǒng)開發(fā)。
過去，PC連接一個(gè)測量設(shè)備或元器件必須要給ASCII單元或BASIC單元編寫一個(gè)通信程序歐姆龍CPU可編程控制器。
而今，C200HX/HG/HE PC裝上通信協(xié)議宏功能，
能將這些通信程序通過PMCR指令配置到梯形圖程序中，
用這個(gè)功能系統(tǒng)可以方便地與各種各樣的元器件相連歐姆龍CPU可編程控制器。cmos-ram單元：電容器備份。
UM：3K字；
DM：1K字。
CPU有一個(gè)安裝存儲(chǔ)器盒的艙。
存儲(chǔ)器盒作為RAM和CPU內(nèi)置RAM共同工作。
可選用EEPROM和EPROM存儲(chǔ)器盒。
要將程序?qū)懭隕PROM，請使用標(biāo)準(zhǔn)PROM寫入器。
在EPROM存儲(chǔ)器器盒裝入CPU之前，先將EPROM連接至EPROM存儲(chǔ)器盒內(nèi)C200HX-CPU65-ZE。

若將EPROM存儲(chǔ)器盒從CPU上拆下，不會(huì)丟失它的數(shù)據(jù)歐姆龍C200HX-CPU65-ZE。需要一個(gè)適合Phoenix PCM+3.2使用的存儲(chǔ)卡和一個(gè)下述總線連接單元。
使用存儲(chǔ)卡儲(chǔ)存數(shù)據(jù)和簡易生產(chǎn)級的轉(zhuǎn)換。
通過以太網(wǎng)卡連接OA網(wǎng)絡(luò)。