輸出：2通道。
輸入（分辨率）：0~12000；-12000~12000；0~12000；-16000~16000。
輸出DC-12~12V；DC0~20mA。
轉(zhuǎn)換速度：10ms/1通道。
18點端子臺。
通道之間隔離。
以智能功能拓展控制的可能性。
通道隔離型模擬量模塊在實現(xiàn)高隔離電壓的同時，
進(jìn)一步提高了基準(zhǔn)精度Q64TDV-GH
為使用通用可編程控制器進(jìn)行過程控制提供支持。
流量計、壓力表、其它傳感器等可直接連接至模擬量輸入，
控制閥也可直接連接至模擬量輸出。
由于不需要外部隔離放大器，硬件和安裝成本得以大幅降低。
高絕緣強(qiáng)度耐壓。
可隔離電氣干擾，例如電流和噪音等。
標(biāo)準(zhǔn)型模擬量輸入模塊。
隔離型模擬量輸入模塊。
無需外部隔離放大器。
不使用通道間隔離型模擬量模塊時。
使用了通道間隔離型模擬量模塊時。輸入輸出點數(shù)：4096點。
輸入輸出軟元件點數(shù)：8192點。
程序容量：60K步。
基本運處理速度（LD指令）：1.9ns。
程序內(nèi)存容量：240KB。
外圍設(shè)備連接端口：USB、以太網(wǎng)（通信協(xié)義支持功能）。
存儲卡I/F：SD存儲卡、擴(kuò)展SRAM卡。
方便處理大容量數(shù)據(jù)。
以往無法實現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)RAM和SRAM卡文件寄存器區(qū)域的連續(xù)存取，
在編程時需要考慮各區(qū)域的邊界。
在高速通用型QCPU中安裝了8MB SRAM擴(kuò)展卡，
可將標(biāo)準(zhǔn)RAM作為一個連續(xù)的文件寄存器，
容量最多可達(dá)4736K字，從而簡化了編程。
因此，即使軟元件存儲器空間不足，
也可通過安裝擴(kuò)展SRAM卡，方便地擴(kuò)展文件寄存器區(qū)域。
變址寄存器擴(kuò)展到了32位，從而使編程也可超越了傳統(tǒng)的32K字，
并實現(xiàn)變址修飾擴(kuò)展到文件寄存器的所有區(qū)域。
另外，變址修飾的處理速度對結(jié)構(gòu)化數(shù)據(jù)（陣列）的高效運算起著重要作用，
該速度現(xiàn)已得到提高。
當(dāng)變址修飾用于反復(fù)處理程序（例如從FOR到NEXT的指令等）中時，可縮短掃描時間。
支持USB和RS232。

支持安裝記憶卡。

多CPU之間提供高速通信。
縮短了固定掃描中斷時間，裝置高精度化。
固定周期中斷程序的最小間隔縮減至100μs。
可準(zhǔn)確獲取高速信號，為裝置的更更加高精度化作出貢獻(xiàn)。
通過多CPU進(jìn)行高速、高精度機(jī)器控制。
通過順控程序的直線和多CPU間高速通通信（周期為0.88ms）的并列處理，實現(xiàn)高速控制。
多CPU間高速通信周期與運動控制同步，因此可實現(xiàn)運算效率最大化。
此外，最新的運動控制CPU在性能上是先前型號的2倍，
確保了高速、高精度的機(jī)器控制。